introduktion

the omkristalliseringsfenomenet av enkelkristallnickel-based superlegeringar under lösningsvärmebehandling leder till höga investeringskostnader i den enda kristallgjutningsindustrin. Kärnbildningen av omkristallisation är vanligtvis relaterad till migrering av befintliga korngränser. I frånvaro av korngränser krävs 20-25% av allvarliga deformationer såsom hak eller kompressionsträngare omkristallisation, vanligtvis amplifierade avnärvaron av stam-concentrerade regioner, såsom karbider. Omkristallisation observerades också under termomekanisk utmattning, kärna vid korsningen av deformerade tvillingband. Dessa möjligheter kommer inte att visas i gjutna singelkristall superlegeringar på grund av dess låga potentiella belastning och frånvaron av karbider i konstruktionen. Så, hur exakt rör sig stora-angle korngränser som bildas i ett enda kristallmaterial som genomgår måttlig belastning? En strategi för att kontrollera omkristallisation är att minska deformationen under kylning genom att ändra keramisk form och kärnmaterial, vilket reducerar formens styrka, men ökar risken för misslyckande eller deformation. En annan metod är att eliminera eller minska kärnbildningen av omkristallisation.

-&#"-"

 , Catherine MF Rae (motsvarande författare) vid University of Cambridge och andra tillhandahöll För första gången bevis på kärnbildning i ytskiktet av enstaka kristallgjutningar, och visade att de under de högra förhållandena med mycket måttlig belastning kan utvecklas till stora rörliga delar. Betydliga korn av vinklade korngränser. I denna studie har två källor till ytkärnbildning i CMSX

4 legering identifierats. Experiment har visat att tillväxten av mikrokristallina korn på ytan orsakar fullständig omkristallisation i områden, vilket är

101; Det finns tillräcklig belastning i bulkmaterialet. Genom att eliminera dessa ytfel kan omkristallisation helt lindras. Etsning av gjutningsytan visade sig vara ett effektivt sätt att uppnå detta. Forskningsresultaten publicerades på ACTA-materialet under rubriken
NUCLEATION av omkristallisation i gjutgods av enkelkristall Ni

&#-&#

\\n \\n \\n \\n \\n \\n \\n \\n \\n \\n \\n \\n \\n \\n \\n \\n \\n \\n \\n \\n \\n \\n \\n \\n \\n \\n \\n \\n \\n \\n \\n \\n \\n \\n \\nsummary \\ N \\n \\n \\n \\n \\n sammanfattningsvis kan följande slutsats dras: γ \\n \\n39; mikrokristallkorn med stora \\nangle korngränser bildas i det yta-eutektiska skiktet mot toppen av gjutningen. Även i avsaknad av en kritisk stam för att framställa omkristallisation, kan mikrokristallina korn fortfarande stå emot standardvärmebehandling. Inedre delen av gjutningen, varvid \\n101; Det finns inget yta-eutektiskt skikt, metallen kan hålla sig lokalt vid formen och den efterföljande separationen ger en lokalt deformerad yta med en rotationsvinkel på upp till 20 ° i förhållande till bulkens enda kristall. Efter värmebehandlingen bildar den deformerade regionen olika kristallkorn genom upprepad twinning och har en mycket mobil olikvinkling i förhållande till bulk. Experiment visar att inärvaro av kritisk deformation i blocket kan etsning av gjutningsytan eliminera omkristallisation. \\ N \\n \\n \\n