aluminumnitridkeramik har en serie utmärkta egenskaper som utmärkt värmeledningsförmåga, tillförlitlig elektrisk isolering, låg dielektrisk konstant och dielektrisk förlust, icke--toxicitet och en termisk expansionskoefficient som matchar kisel. Det är enny typ av utmärkt omfattande prestanda. Keramiska material anses vara idealiska material för enny generation av högt integrerade halvledarsubstrat och elektronisk apparatförpackning. Aluminiumnitrid (ALN) är en hexagonal kristall, och ren Aln är blå-white, vanligtvis grå eller av-wort.

The Preparationsmetod för aluminiumnitridkeramik är i grunden likadan att preparatprocessen av andra keramiska material. Det finns tre preparatprocesser: pulversyntes, gjutning och sintring.

aluminumnitridpulver används som råmaterial för framställning av slutliga keramiska produkter. Dess renhet, partikelstorlek, syrehalt och innehåll av andra föroreningar har en viktig inverkan på den termiska ledningsförmågan, efterföljande sintringen och formning av de efterföljande produkterna. Om slutprodukten har utmärkt prestanda eller inte hörnsten. Syntesmetoderna för aluminiumnitridpulver är som följer: Direktnitridationsmetod, karbotermisk reduktionsmetod, själv--propagering av hög temperatursyntesmetod, kemisk ångavsättningsmetod

Det finns många gjutningsprocesser för aluminiumnitridpulver och traditionella gjutningsprocesser som Gjutning, varmpressning och isostatisk pressning är alla tillämpliga. På grund av den starka hydrofiliteten hos aluminiumnitridpulver, för att minska oxidationen av aluminiumnitrid, bör kontakt med vatten undvikas så mycket som möjligt under gjutningsprocessen. Dessutom, även om varmpressning och isostatisk pressning är lämpliga för framställning av keramiska material med hög-performance, har de hög kostnad och låg produktionseffektivitet, och kan inte uppfylla den ökande efterfrågan på aluminiumnitridkeramiska substrat i elektronikindustrin.